华为公开“半导体器件”相关专利
发布日期:2021-07-07    来源:OFweek电子工程网    

 

近日,据天眼查显示华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利,公开号CN113054010A,申请日期为2021年2月。

 

 

 

专利摘要显示,本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法,该器件包括:N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等,其中,场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区,第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径,第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。上述半导体器件,可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。

 

 

 

据悉,IGBT技术多用于功率半导体,对于华为而言,在其汽车研发和光伏逆变器等产品上要用IGBT技术。有业内人士认为,在功率器件中,进行多次外延,在衬底的基础上增加不同掺杂元素和不同厚度的外延层,用于改善极间漏电流。

 




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